Печатать страницу
NXH50C120L2C2ES1G
IGBT MODULES
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
ПроизводительONSEMI
Номер по каталогу производителяNXH50C120L2C2ES1G
Код заказа3617521
Технические данные
Снято с производства
Информация об изделиях
ПроизводительONSEMI
Номер по каталогу производителяNXH50C120L2C2ES1G
Код заказа3617521
Технические данные
Конфигурация БТИЗThree Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Continuous Collector Current50А
Collector Emitter Saturation Voltage2.4В
Power Dissipation20мВт
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стиль Корпуса ТранзистораDIP
Выводы БТИЗSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗ-
Монтаж транзистораPanel
Линейка Продукции-
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (14-Jun-2023)
Technical Specifications
Конфигурация БТИЗ
Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake]
Collector Emitter Saturation Voltage
2.4В
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Выводы БТИЗ
Solder
Технология БТИЗ
-
Линейка Продукции
-
Continuous Collector Current
50А
Power Dissipation
20мВт
Стиль Корпуса Транзистора
DIP
Collector Emitter Voltage Max
1.2кВ
Монтаж транзистора
Panel
SVHC (Особо Опасные Вещества)
No SVHC (14-Jun-2023)
Техническая документация (3)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.1