Печатать страницу
FJPF13009H2TU
NPN SILICON TRANSISTOR
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Снято с производства
Non-Cancellable / Non-Returnable
Информация об изделиях
ПроизводительONSEMI
Номер по каталогу производителяFJPF13009H2TU
Код заказа3615361
Технические данные
Полярность ТранзистораNPN
Collector Emitter Voltage Max400В
Continuous Collector Current12А
Power Dissipation50Вт
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220F
Монтаж транзистораThrough Hole
Количество Выводов3вывод(-ов)
Частота Перехода ft4МГц
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка Продукции-
Квалификация-
SVHC (Особо Опасные Вещества)Lead (10-Jun-2022)
Technical Specifications
Полярность Транзистора
NPN
Continuous Collector Current
12А
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220F
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
Collector Emitter Voltage Max
400В
Power Dissipation
50Вт
Монтаж транзистора
Through Hole
Частота Перехода ft
4МГц
Линейка Продукции
-
SVHC (Особо Опасные Вещества)
Lead (10-Jun-2022)
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Y-Ex
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:Lead (10-Jun-2022)
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.1