Печатать страницу
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
ПроизводительINFINEON
Номер по каталогу производителяFF200R12KT4HOSA1
Код заказа2377249
Технические данные
107 Есть в наличии
70 Вы можете зарезервировать товар на складе прямо сейчас
Delivery in 3-5 Business Days
При заказе до 20:00 стандартная доставка
| Количество | |
|---|---|
| 1+ | 82,960 € |
| 5+ | 74,790 € |
| 10+ | 66,610 € |
| 50+ | 65,280 € |
Цена за:Штука
Минимум: 1
Много: 1
82,96 € ()
Добавить артикул / примечание
Added to your Order Confirmation, Invoice, and Dispatch note for this order only.
This number will be added to the Order Confirmation, Invoice, Dispatch note, Web confirmation Email and Product Label.
Информация об изделиях
ПроизводительINFINEON
Номер по каталогу производителяFF200R12KT4HOSA1
Код заказа2377249
Технические данные
Полярность ТранзистораДвойной NPN
Конфигурация БТИЗDual [Half Bridge]
DC Ток Коллектора320А
Continuous Collector Current320А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.75В
Collector Emitter Saturation Voltage1.75В
Power Dissipation1.1кВт
Рассеиваемая Мощность1.1кВт
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальная Температура Перехода Tj150°C
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Выводы БТИЗStud
Количество Выводов7вывод(-ов)
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Монтаж транзистораPanel
Линейка Продукции-
SVHC (Особо Опасные Вещества)0
Technical Specifications
Полярность Транзистора
Двойной NPN
DC Ток Коллектора
320А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.75В
Power Dissipation
1.1кВт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Максимальная Температура Перехода Tj
150°C
Выводы БТИЗ
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2кВ
Монтаж транзистора
Panel
SVHC (Особо Опасные Вещества)
0
Конфигурация БТИЗ
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
320А
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75В
Рассеиваемая Мощность
1.1кВт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Технология БТИЗ
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Линейка Продукции
-
Техническая документация (1)
Альтернативные продукты для FF200R12KT4HOSA1
3 товаров найдено
Сопутствующие товары
3 товаров найдено
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Hungary
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Hungary
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:0
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.25
Отслеживаемость продукта