Печатать страницу
SQ4946CEY-T1_GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 60V, 7A, SOIC
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSQ4946CEY-T1_GE3
Код заказа3587059RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Технические данные
14 959 Есть в наличии
Нужно больше?
Delivery in 3-5 Business Days
При заказе до 20:00 стандартная доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | 0,517 € |
| 500+ | 0,480 € |
| 1000+ | 0,413 € |
Цена за:Штука (Поставляется на разрезной ленте)
Минимум: 100
Много: 5
56,70 € ()
Для данного продукта за повторную намотку на катушки взимается плата в размере 5,00 €
Добавить артикул / примечание
Added to your Order Confirmation, Invoice, and Dispatch note for this order only.
This number will be added to the Order Confirmation, Invoice, Dispatch note, Web confirmation Email and Product Label.
Информация об изделиях
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSQ4946CEY-T1_GE3
Код заказа3587059RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Технические данные
Channel TypeN Channel
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал60В
Непрерывный Ток Стока, N Канал7А
Непрерывный Ток Стока, P Канал7А
Drain Source On State Resistance N Channel0.033Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.033Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Количество Выводов8вывод(-ов)
Power Dissipation N Channel4Вт
Power Dissipation P Channel4Вт
Максимальная Рабочая Температура175°C
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
КвалификацияAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (10-Jun-2022)
Technical Specifications
Channel Type
N Channel
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал
60В
Непрерывный Ток Стока, P Канал
7А
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033Ом
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Power Dissipation P Channel
4Вт
Линейка Продукции
TrenchFET Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал
60В
Непрерывный Ток Стока, N Канал
7А
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033Ом
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Power Dissipation N Channel
4Вт
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Квалификация
AEC-Q101
SVHC (Особо Опасные Вещества)
No SVHC (10-Jun-2022)
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.000403
Отслеживаемость продукта