Печатать страницу
SI5509DC-T1-E3
MOSFET, N & P CH, 20V, 6.1A, CHIPFET
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Снято с производства
Информация об изделиях
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSI5509DC-T1-E3
Код заказа2335331
Технические данные
Channel TypeComplementary N and P Channel
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Непрерывный Ток Стока, N Канал6.1А
Непрерывный Ток Стока, P Канал6.1А
Drain Source On State Resistance N Channel0.043Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.043Ом
Стиль Корпуса ТранзистораChipFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Power Dissipation N Channel4.5Вт
Power Dissipation P Channel4.5Вт
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка Продукции-
Квалификация-
Technical Specifications
Channel Type
Complementary N and P Channel
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал
20В
Непрерывный Ток Стока, P Канал
6.1А
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043Ом
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Power Dissipation P Channel
4.5Вт
Линейка Продукции
-
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал
20В
Непрерывный Ток Стока, N Канал
6.1А
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043Ом
Стиль Корпуса Транзистора
ChipFET
Power Dissipation N Channel
4.5Вт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
Техническая документация (1)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Будет указано позже
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.000059