Печатать страницу
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -7.5A, 2.5W
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSI2393DS-T1-GE3
Код заказа3263506RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Технические данные
27 933 Есть в наличии
Нужно больше?
Delivery in 3-5 Business Days
При заказе до 20:00 стандартная доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | 0,205 € |
| 500+ | 0,184 € |
| 1500+ | 0,154 € |
Цена за:Штука (Поставляется на разрезной ленте)
Минимум: 100
Много: 5
25,50 € ()
Для данного продукта за повторную намотку на катушки взимается плата в размере 5,00 €
Добавить артикул / примечание
Added to your Order Confirmation, Invoice, and Dispatch note for this order only.
This number will be added to the Order Confirmation, Invoice, Dispatch note, Web confirmation Email and Product Label.
Информация об изделиях
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSI2393DS-T1-GE3
Код заказа3263506RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Технические данные
Channel TypeP Channel
Полярность ТранзистораP Канал
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока7.5А
Drain Source On State Resistance0
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0189Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Монтаж транзистораSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Power Dissipation2.5Вт
Рассеиваемая Мощность2.5Вт
Количество Выводов3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Квалификация-
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (17-Jan-2023)
Technical Specifications
Channel Type
P Channel
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Drain Source On State Resistance
0
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Power Dissipation
2.5Вт
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Линейка Продукции
TrenchFET Gen IV
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
SVHC (Особо Опасные Вещества)
No SVHC (17-Jan-2023)
Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
7.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0189Ом
Монтаж транзистора
Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs
2.2В
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
-
Техническая документация (2)
Альтернативные продукты для SI2393DS-T1-GE3
Найден 1 продукт
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.004
Отслеживаемость продукта