Печатать страницу
SI2387DS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 80V, 3A, 150DEG C, 2.5W
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSI2387DS-T1-GE3
Код заказа3765809RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Технические данные
13 207 Есть в наличии
12 000 Вы можете зарезервировать товар на складе прямо сейчас
Delivery in 3-5 Business Days
При заказе до 20:00 стандартная доставка
| Количество | |
|---|---|
| 100+ | 0,194 € |
| 500+ | 0,179 € |
| 1500+ | 0,158 € |
Цена за:Штука (Поставляется на разрезной ленте)
Минимум: 100
Много: 5
24,40 € ()
Для данного продукта за повторную намотку на катушки взимается плата в размере 5,00 €
Добавить артикул / примечание
Added to your Order Confirmation, Invoice, and Dispatch note for this order only.
This number will be added to the Order Confirmation, Invoice, Dispatch note, Web confirmation Email and Product Label.
Информация об изделиях
ПроизводительVISHAY
Номер по каталогу производителяSI2387DS-T1-GE3
Код заказа3765809RL
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Технические данные
Channel TypeP Channel
Полярность ТранзистораP Канал
Напряжение Истока-стока Vds80В
Непрерывный Ток Стока3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.137Ом
Drain Source On State Resistance0.137Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Монтаж транзистораSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Power Dissipation2.5Вт
Рассеиваемая Мощность2.5Вт
Количество Выводов3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Квалификация-
Стандарты Автомобильной Промышленности-
SVHC (Особо Опасные Вещества)0
Technical Specifications
Channel Type
P Channel
Напряжение Истока-стока Vds
80В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.137Ом
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Power Dissipation
2.5Вт
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Линейка Продукции
TrenchFET Gen IV
Стандарты Автомобильной Промышленности
-
Полярность Транзистора
P Канал
Непрерывный Ток Стока
3А
Drain Source On State Resistance
0.137Ом
Монтаж транзистора
Surface Mount
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
SVHC (Особо Опасные Вещества)
0
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:0
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.001
Отслеживаемость продукта