Печатать страницу
MMBFJ177
TRANSISTOR, JFET, P, SMD, SOT-23
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Информация об изделиях
ПроизводительONSEMI
Номер по каталогу производителяMMBFJ177
Код заказа1467953RL
Технические данные
Gate Source Breakdown Voltage Max30В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)-20мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)2.5В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Channel TypeP Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Линейка Продукции-
Квалификация-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (27-Jun-2018)
Альтернативные продукты для MMBFJ177
2 товаров найдено
Technical Specifications
Gate Source Breakdown Voltage Max
30В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
2.5В
Channel Type
P Channel
Линейка Продукции
-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
-20мА
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Монтаж транзистора
Surface Mount
Квалификация
-
SVHC (Особо Опасные Вещества)
No SVHC (27-Jun-2018)
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Japan
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Japan
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.00005
Отслеживаемость продукта