Печатать страницу
FDS6900AS.
MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Информация об изделиях
ПроизводительONSEMI
Номер по каталогу производителяFDS6900AS.
Код заказа1495214
Технические данные
Channel TypeN Channel
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал-
Непрерывный Ток Стока, N Канал6.9А
Непрерывный Ток Стока, P Канал-
Drain Source On State Resistance N Channel0.027Ом
Drain Source On State Resistance P Channel-
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Количество Выводов8вывод(-ов)
Power Dissipation N Channel2Вт
Power Dissipation P Channel-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка Продукции-
Квалификация-
Technical Specifications
Channel Type
N Channel
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал
-
Непрерывный Ток Стока, P Канал
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Power Dissipation P Channel
-
Линейка Продукции
-
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал
30В
Непрерывный Ток Стока, N Канал
6.9А
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027Ом
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Power Dissipation N Channel
2Вт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
Техническая документация (3)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:United States
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:United States
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.0005
Отслеживаемость продукта