Печатать страницу
PMBFJ175,215
JFET,P CH,30V,0.03A,SOT23
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Информация об изделиях
ПроизводительNXP
Номер по каталогу производителяPMBFJ175,215
Код заказа1758136RL
Технические данные
Gate Source Breakdown Voltage Max30В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)70мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)6В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Количество Выводов3 Вывода
Максимальная Рабочая Температура150°C
Channel TypeP Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Линейка Продукции-
Квалификация-
Альтернативные продукты для PMBFJ175,215
5 товаров найдено
Technical Specifications
Gate Source Breakdown Voltage Max
30В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
6В
Количество Выводов
3 Вывода
Channel Type
P Channel
Линейка Продукции
-
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
70мА
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Монтаж транзистора
Surface Mount
Квалификация
-
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:China
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Да
RoHS
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.000006
Отслеживаемость продукта