Печатать страницу
IRF7343PBF
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.
Снято с производства
Информация об изделиях
ПроизводительINFINEON
Номер по каталогу производителяIRF7343PBF
Код заказа9102140
Технические данные
Channel TypeComplementary N and P Channel
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал55В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал55В
Непрерывный Ток Стока, N Канал4.7А
Непрерывный Ток Стока, P Канал4.7А
Drain Source On State Resistance N Channel0.05Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.05Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Количество Выводов8вывод(-ов)
Power Dissipation N Channel2Вт
Power Dissipation P Channel2Вт
Максимальная Рабочая Температура150°C
Линейка Продукции-
Квалификация-
Альтернативные продукты для IRF7343PBF
Найден 1 продукт
Technical Specifications
Channel Type
Complementary N and P Channel
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал
55В
Непрерывный Ток Стока, P Канал
4.7А
Drain Source On State Resistance P Channel
0.05Ом
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Power Dissipation P Channel
2Вт
Линейка Продукции
-
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал
55В
Непрерывный Ток Стока, N Канал
4.7А
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05Ом
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Power Dissipation N Channel
2Вт
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Квалификация
-
Техническая документация (2)
Законодательные акты и защита окружающей среды
Страна происхождения:
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Philippines
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процессСтрана происхождения:Philippines
Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс
Номер тарифа:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Соответствует RoHS:Да
RoHS
Отвечает требованиям RoHS по фталатам:Будет указано позже
Загрузить сертификат соответствия продукта
Сертификат соответствия продукта
Масса (кг):.000544