Двойные МОП-транзисторы | Farnell Russia

Просмотреть

Buyer

Инженер

Есть в наличии(9)

Подходит для новых моделей(12)

Склады в Великобритании(9)

Новая - 180 дней(0)

Date/Lot Code(11)

Соответствует RoHS(13)

Filter(s) Applied

Drain Source On State Resistance N Channel

:

0.0137Ом

1 Filter(s) Selected

Сравнить					Цена за		Количество

	IRF7351TRPBF	2725900 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N CH 60V 8A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	5+ 1,450 € 50+ 0,946 € 250+ 0,839 € 1000+ 0,677 € 2000+ 0,667 €	Min: 5 / Mult: 5	N Channel	60В	60В	8А	8А	0.0137Ом	0.0137Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	2Вт	150°C	HEXFET Series
	DMTH10H017LPD-13	3405248 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET DUAL N-CH 59A 100V 175DEG C		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,720 € 10+ 1,200 € 100+ 0,834 € 500+ 0,627 € 1000+ 0,581 €	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	100В	100В	59А	59А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	2.6Вт	2.6Вт	175°C	-
	SIZ256DT-T1-GE3	3605913 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET N-CH 70V 31.8A/POWERPAIR 3X3S		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,560 € 10+ 1,050 € 100+ 0,754 € 500+ 0,549 € 1000+ 0,494 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	70В	70В	31.8А	31.8А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerPAIR	8вывод(-ов)	33Вт	33Вт	150°C	TrenchFET Gen IV Series
	IRF7351TRPBF	2725900RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N CH 60V 8A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	50+ 0,946 € 250+ 0,839 € 1000+ 0,677 € 2000+ 0,667 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	60В	60В	8А	8А	0.0137Ом	0.0137Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	2Вт	150°C	HEXFET Series
	SIZ256DT-T1-GE3	3605913RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	VISHAY MOSFET N-CH 70V 31.8A/POWERPAIR 3X3S		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,754 € 500+ 0,549 € 1000+ 0,494 € 5000+ 0,443 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	70В	70В	31.8А	31.8А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerPAIR	8вывод(-ов)	33Вт	33Вт	150°C	TrenchFET Gen IV Series
	DMTH10H017LPD-13	3405248RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET DUAL N-CH 59A 100V 175DEG C		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,834 € 500+ 0,627 € 1000+ 0,581 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	100В	100В	59А	59А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	2.6Вт	2.6Вт	175°C	-
	QH8KB6TCR	3778176 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	ROHM MOSFET DUAL N-CH 40V 8A TSMT		Штука	1+ 1,220 € 10+ 0,853 € 100+ 0,652 € 500+ 0,479 € 1000+ 0,422 €	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	40В	40В	8А	8А	0.0137Ом	0.0137Ом	TSMT	8вывод(-ов)	1.5Вт	1.5Вт	150°C	-
	DMT10H017LPD-13	3944160 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET DUAL N-CH 100V 54.7A		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,700 € 10+ 1,300 € 100+ 0,911 € 500+ 0,748 € 1000+ 0,739 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	100В	100В	54.7А	54.7А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	78Вт	78Вт	150°C	-
	DMT10H017LPD-13	3944160RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. MOSFET DUAL N-CH 100V 54.7A		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,911 € 500+ 0,748 € 1000+ 0,739 € 5000+ 0,730 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	100В	100В	54.7А	54.7А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	78Вт	78Вт	150°C	-
	DMT6015LPDW-13	3589203RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. DUAL MOSFET N-CH 60V/17.1A/POWERDI5060		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,360 € 500+ 0,323 € 1000+ 0,311 € 5000+ 0,299 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	60В	60В	17.1А	17.1А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	2.4Вт	2.4Вт	150°C	-
	DMT6015LPDW-13	3589203 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	DIODES INC. DUAL MOSFET N-CH 60V/17.1A/POWERDI5060		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 0,496 € 10+ 0,434 € 100+ 0,360 € 500+ 0,323 € 1000+ 0,311 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	60В	60В	17.1А	17.1А	0.0137Ом	0.0137Ом	PowerDI5060	8вывод(-ов)	2.4Вт	2.4Вт	150°C	-
	IRF7351PBF	1843030 Data Sheet RoHS	INFINEON MOSFET NN CH 60V 8A SO8		Штука	5+ 1,280 € 25+ 0,937 € 100+ 0,851 € 250+ 0,800 € 500+ 0,749 € Посмотреть стоимость...	Min: 5 / Mult: 5	N Channel	60В	-	8А	-	0.0137Ом	-	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	-	150°C	-
	IRF7907PBF	1843031 Data Sheet RoHS	INFINEON MOSFET NN CH 30V 9.1A SO8		Штука	1+ 0,624 € 25+ 0,554 € 100+ 0,518 € 250+ 0,480 € 500+ 0,367 €	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	30В	-	11А	-	0.0137Ом	-	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	-	150°C	-

Items per page:

1-13 of 13 items

of 1 page(s)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

TP65H035G4YS - gallium nitride (GaN) FET

TP65H035G4YS - gallium nitride (GaN) FET

RENESAS

G3R60MT07K – Silicon Carbide MOSFET

GENESIC SEMICONDUCTOR

G3R60MT07K – Silicon Carbide MOSFET

GENESIC SEMICONDUCTOR

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TOSHIBA

ONSEMI

CoolSiC™ Trench MOSFET

CoolSiC™ Trench MOSFET

INFINEON

EconoDUAL™ 3 product family for medium power applications

EconoDUAL™ 3 product family for medium power applications

INFINEON

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TOSHIBA

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

NEXPERIA

New onsemi 650v SiC MOSFETs

New onsemi 650v SiC MOSFETs

ONSEMI

semi-disc-np1-nov-analog-devices-matched-bjt-arrays

semi-disc-np1-nov-analog-devices-matched-bjt-arrays

ANALOG DEVICES

New Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes

New Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes

TOSHIBA

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

NEXPERIA