Вы ввели некорректные символы в отмеченные ниже поля. Введите информацию повторно, используя только корректные символы.
Продукт может не точно соответствовать критериям поиска
Вы ранее приобрели этот товар.
Просмотр истории заказов
INFINEON S29GL256P11FFIV10
FLASH MEMORY, 256MBIT, -40 TO 85DEG C
Date/Lot Code
- Производитель:
- INFINEON INFINEON
- Номер по каталогу производителя:
- S29GL256P11FFIV10
- Код заказа:
- 4128146
-
-
???YPN_MAX_ENTRIES_TITLE???
???YPN_MAX_ENTRIES_MSG???
- Ассортимент продукции
- 3V Parallel NOR Flash Memories
- Также известны как:
- SP005668315, S29GL256P11FFIV10
- Технические данные:
- S29GL256P11FFIV10 Техническая спецификация
- ECAD / MCAD
-
Выбор ассортимента продукции (3V Parallel NOR Flash Memories)
Посмотреть все из этого ассортиментаОбзор продукта
S29GL256P11FFIV10 is a S29GL256P Mirrorbit® page-mode flash memory IC fabricated on 90nm process technology. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This device is ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption. It protects first or last sector regardless of sector protection settings and accelerates programming time (when VHH is applied) for greater throughput during system production.
- Single 3V read/program/erase (2.7-3.6V), enhanced versatile/O™ control
- 8-word/16-byte page read buffer, hardware reset input (RESET#) resets device
- 32-word/64-byte write buffer reduces overall programming time for multiple-word updates
- Uniform 64Kword/128 Kbyte sector architecture: two hundred fifty-six sectors
- 20-year data retention typical, support for CFI (common flash interface)
- Suspend and resume commands for program and erase operations, secured silicon sector region
- Write operation status bits indicate program and erase operation completion
- Unlock bypass program command to reduce programming time
- 110ns speed, 64-ball fortified ball grid array, 1.0mm pitch package (LAA064)
- Industrial -40°C to 85°C temperature range, VIO=1.65 to VCC, VCC=2.7 to 3.6V
Информация об изделиях
Хотите посмотреть похожие товары? Просто выберите необходимые атрибуты ниже и нажмите кнопку ×
- :
- Параллельная NOR
- :
- 256Мбит
- :
- 256Мбит
- :
- 32M x 8bit
- :
- 32М x 8бит
- :
- Параллельный
- :
- Parallel
- :
- FBGA
- :
- FBGA
- :
- 64вывод(-ов)
- :
- -
- :
- -
- :
- 110нс
- :
- 2.7В
- :
- 3.6В
- :
- 3В
- :
- SMD (Поверхностный Монтаж)
- :
- -40°C
- :
- 85°C
- :
- 3V Parallel NOR Flash Memories
Техническая документация (2)
Также известны как
SP005668315, S29GL256P11FFIV10
Снято с производства
11,14 €
Цена недоступна. Пожалуйста, свяжитесь с отделом обслуживания клиентов.
- Цена за:
- Штука
Много: 1 Минимум: 1
- 1+
- 10+
- 25+
- 50+
- 100+
- 250+
| Количество | Цена | Ваша цена |
|---|---|---|
| 1+ | 11,14 € | |
| 10+ | 9,17 € | |
| 25+ | 8,91 € | |
| 50+ | 8,56 € | |
| 100+ | 8,15 € | |
| 250+ | 8,14 € | |
| Количество | Цена | Ваша цена |
|---|
Цена недоступна. Пожалуйста, свяжитесь с отделом обслуживания клиентов.
Общая цена:
Общая цена: ( )
Общая цена: --
Фильтр