Двойные МОП-транзисторы | Farnell Russia

Просмотреть

Buyer

Инженер

Есть в наличии(4)

Подходит для новых моделей(11)

Склады в Великобритании(4)

Новая - 180 дней(0)

Date/Lot Code(10)

Соответствует RoHS(13)

Filter(s) Applied

Drain Source On State Resistance N Channel

:

0.0125Ом

1 Filter(s) Selected

Сравнить					Цена за		Количество

	BSO150N03MDGXUMA1	2480752 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N-CH 30V 8A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,020 € 10+ 0,691 € 100+ 0,523 € 500+ 0,430 € 1000+ 0,361 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	8А	8А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	1.4Вт	1.4Вт	150°C	-
	QH8KA4TCR	2706591 Data Sheet RoHS	ROHM MOSFET DUAL N-CH 30V 9A TSMT		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,520 € 10+ 0,949 € 100+ 0,632 € 500+ 0,498 € 1000+ 0,456 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	9А	9А	0.0125Ом	0.0125Ом	TSMT	8вывод(-ов)	1.5Вт	1.5Вт	150°C	-
	BSO150N03MDGXUMA1	2480752RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N-CH 30V 8A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,523 € 500+ 0,430 € 1000+ 0,361 € 5000+ 0,324 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	8А	8А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	1.4Вт	1.4Вт	150°C	-
	QH8KA4TCR	2706591RL Data Sheet RoHS	ROHM MOSFET DUAL N-CH 30V 9A TSMT		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,632 € 500+ 0,498 € 1000+ 0,456 € 5000+ 0,405 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	9А	9А	0.0125Ом	0.0125Ом	TSMT	8вывод(-ов)	1.5Вт	1.5Вт	150°C	-
	CSD88537ND	3009688 RoHS Date/Lot Code	TEXAS INSTRUMENTS MOSFET DUAL N CHANNEL 60V 15A SOIC		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,550 € 10+ 1,030 € 100+ 0,737 € 500+ 0,584 € 1000+ 0,527 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	60В	-	60В	15А	15А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2.1Вт	2.1Вт	150°C	-
	CSD88537NDT	3125082 RoHS Date/Lot Code	TEXAS INSTRUMENTS MOSFET DUAL N-CH 60V 15A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 1,870 € 10+ 1,320 € 100+ 0,915 € 500+ 0,847 € 1000+ 0,778 €	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	60В	-	60В	15А	15А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2.1Вт	2.1Вт	150°C	-
	BUK7K17-80EX	2822797 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA MOSFET AUTO DUAL N-CH 80V SOT1205		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 0,980 € 10+ 0,858 € 100+ 0,711 € 500+ 0,637 € 1000+ 0,588 € Посмотреть стоимость...	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	80В	-	80В	21А	21А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOT-1205	8вывод(-ов)	64Вт	64Вт	175°C	AEC-Q101
	BUK7K17-80EX	2822797RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	NEXPERIA MOSFET AUTO DUAL N-CH 80V SOT1205		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,711 € 500+ 0,637 € 1000+ 0,588 € 5000+ 0,549 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	-	80В	-	80В	21А	21А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOT-1205	8вывод(-ов)	64Вт	64Вт	175°C	AEC-Q101
	CSD88537NDT	3125082RL RoHS Date/Lot Code	TEXAS INSTRUMENTS MOSFET DUAL N-CH 60V 15A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	100+ 0,915 € 500+ 0,847 € 1000+ 0,778 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	60В	60В	15А	60В	15А	15А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2.1Вт	2.1Вт	150°C	-
	CSD88537ND	3009688RL RoHS Date/Lot Code	TEXAS INSTRUMENTS MOSFET DUAL N CHANNEL 60V 15A SOIC		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	100+ 0,737 € 500+ 0,584 € 1000+ 0,527 € 5000+ 0,447 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	-	60В	-	60В	15А	15А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2.1Вт	2.1Вт	150°C	-
	CSD88537ND .	2422575 RoHS	TEXAS INSTRUMENTS MOSFET DUAL N CHANNEL 60V 15A SOIC		Штука	5+ 1,060 € 25+ 0,961 € 100+ 0,741 € 250+ 0,698 € 500+ 0,654 € Посмотреть стоимость...	Min: 5 / Mult: 5	N Channel	-	60В	-	60В	15А	15А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2.1Вт	2.1Вт	150°C	-
	IRF8313TRPBF	2468027 Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N CH 30V 9.7A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Разрезная лента	1+ 0,916 €	Min: 1 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	9.7А	9.7А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	2Вт	175°C	-
	IRF8313TRPBF	2468027RL Data Sheet RoHS Date/Lot Code	INFINEON MOSFET DUAL N CH 30V 9.7A SOIC-8		Штука (Поставляется на разрезной ленте) Повторная намотка на катушки Варианты упаковки	1+ 0,916 €	Min: 100 / Mult: 1	N Channel	-	30В	-	30В	9.7А	9.7А	0.0125Ом	0.0125Ом	SOIC	8вывод(-ов)	2Вт	2Вт	175°C	-

Items per page:

1-13 of 13 items

of 1 page(s)

Popular Suppliers

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

TP65H035G4YS - gallium nitride (GaN) FET

TP65H035G4YS - gallium nitride (GaN) FET

RENESAS

G3R60MT07K – Silicon Carbide MOSFET

GENESIC SEMICONDUCTOR

G3R60MT07K – Silicon Carbide MOSFET

GENESIC SEMICONDUCTOR

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TOSHIBA

ONSEMI

CoolSiC™ Trench MOSFET

CoolSiC™ Trench MOSFET

INFINEON

EconoDUAL™ 3 product family for medium power applications

EconoDUAL™ 3 product family for medium power applications

INFINEON

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TK024N60Z1,S1F(S - Power MOSFET

TOSHIBA

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

Nexperia E-Mode Power Gallium Nitride FET's (GaN FET's) for high & low voltage applications.

NEXPERIA

New onsemi 650v SiC MOSFETs

New onsemi 650v SiC MOSFETs

ONSEMI

semi-disc-np1-nov-analog-devices-matched-bjt-arrays

semi-disc-np1-nov-analog-devices-matched-bjt-arrays

ANALOG DEVICES

New Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes

New Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes

TOSHIBA

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications

XPT series IGBT Thin-wafer Technology for snubber-less hard-switching applications

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

MPS Series SiC Schottky Diodes - 650V to 1.7KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT with full-rated Silicon Diode

NEXPERIA