Low

VNS1NV04DP-E - 

МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ

STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Производитель:
STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS
Номер по каталогу производителя:
VNS1NV04DP-E
Код заказа:
2066199
Технические данные:
(EN)
См. всю техническую документацию

Информация об изделиях

:
-
:
-
:
4Вт
:
0.25Ом
:
-
:
45В
:
:
N Канал
:
500мВ
:
8вывод(-ов)
:
SOIC
:
1.7А
Поиск аналогичных товаров Для поиска похожих продуктов выбирайте и изменяйте приведенные выше параметры.

Обзор продукта

The VNS1NV04DP-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
  • Linear current limitation
  • Thermal shutdown
  • Short-circuit protection
  • Integrated clamp
  • Low current drawn from input pin
  • Diagnostic feedback through input pin
  • ESD protection
  • Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
  • Compatible with standard power MOSFET

Области применения

Промышленное

Предупреждения

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Варианты

Сравнить выбранное
Номер по каталогу производителя
Код заказа
Производитель / описание
В наличии
Цена за
Количество

Сопутствующие продукты