Low

STMICROELECTRONICS  STY80NM60N  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 37 А, 600 В, 30 мОм, 10 В, 3 В

STMICROELECTRONICS STY80NM60N
Technical Data Sheet (352.86KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STY80NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
  • The worldwide best RDS (ON) in Max247
  • 100% Avalanche tested
  • Low gate input resistance

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
37А
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.03Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
447Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
MAX-247
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
-

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.453592