Low

STMICROELECTRONICS  STW20NM60  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.25 Ом, 10 В, 4 В

STMICROELECTRONICS STW20NM60
Technical Data Sheet (437.01KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • 100% Avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
20А
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
192Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
-

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85423300
Масса (кг):