Low

STMICROELECTRONICS  STN1HNK60  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В

STMICROELECTRONICS STN1HNK60
Technical Data Sheet (427.01KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • Extremely high dv/dt capability
  • ESD improved capability
  • 100% Avalanche tested
  • New high voltage benchmark
  • Gate charge minimized
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
500мА
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
8Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
3.3Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-223
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Управление Питанием;
  • Освещение

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.0002