Low

STN1HNK60 - 

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В

STMICROELECTRONICS STN1HNK60

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Производитель:
STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS
Номер по каталогу производителя:
STN1HNK60
Код заказа:
1752117RL
Технические данные:
(EN)
См. всю техническую документацию

Информация об изделиях

:
150°C
:
-
:
3.3Вт
:
8Ом
:
600В
:
10В
:
N Канал
:
:
3вывод(-ов)
:
SOT-223
:
500мА
Поиск аналогичных товаров Для поиска похожих продуктов выбирайте и изменяйте приведенные выше параметры.

Обзор продукта

The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
  • Extremely high dv/dt capability
  • ESD improved capability
  • 100% Avalanche tested
  • New high voltage benchmark
  • Gate charge minimized

Области применения

Управление Питанием, Освещение

Предупреждения

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.