Low

STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 55 В, 6.5 Ом, 10 В, 4 В

STMICROELECTRONICS STD65N55F3
Technical Data Sheet (433.44KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STD65N55F3 is a STripFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET designed with latest refinement of unique Single Feature Size™ strip-based process. The process decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
  • Standard threshold drive
  • 100% Avalanche tested
  • -55 to 175°C Operating junction temperature range

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
32А
Напряжение Истока-стока Vds:
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
6.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
110Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Линия Продукции:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Авто;
  • Управление Питанием;
  • Промышленное

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85423300
Масса (кг):
.0002