Low

STMICROELECTRONICS  STB9NK60ZT4  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А, 600 В, 850 мОм, 10 В, 3.75 В

STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4
Technical Data Sheet (503.90KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
  • Improved ESD capability
  • 100% Avalanche tested
  • Very low intrinsic capacitance
  • Extremely high dV/dt capability

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
3.5А
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.85Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
3.75В
Рассеиваемая Мощность:
125Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.0002