Low

STMICROELECTRONICS  STB7NK80ZT4  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.6 А, 800 В, 1.5 Ом, 10 В, 3.75 В

STMICROELECTRONICS STB7NK80ZT4
Technical Data Sheet (935.33KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STB7NK80ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
  • 100% Avalanche tested
  • Very low intrinsic capacitance
  • Very good manufacturing repeatability

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
2.6А
Напряжение Истока-стока Vds:
800В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
1.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
3.75В
Рассеиваемая Мощность:
125Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85423300
Масса (кг):
.002034