Low

STB23NM60ND - 

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм, 10 В, 4 В

STMICROELECTRONICS STB23NM60ND

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Производитель:
STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS
Номер по каталогу производителя:
STB23NM60ND
Код заказа:
1751989RL
Технические данные:
(EN)
См. всю техническую документацию

Информация об изделиях

:
150°C
:
-
:
150Вт
:
0.15Ом
:
600В
:
10В
:
N Канал
:
:
3вывод(-ов)
:
TO-263
:
10А
Поиск аналогичных товаров Для поиска похожих продуктов выбирайте и изменяйте приведенные выше параметры.

Обзор продукта

The STB23NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
  • The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
  • 100% Avalanche tested
  • Low gate input resistance
  • High dV/dt and avalanche capabilities

Области применения

Промышленное, Управление Питанием