Low

STMICROELECTRONICS  STB23NM60ND  Силовой МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм, 10 В, 4 В

STMICROELECTRONICS STB23NM60ND
Technical Data Sheet (1.08MB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STB23NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
  • The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
  • 100% Avalanche tested
  • Low gate input resistance
  • High dV/dt and avalanche capabilities

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
10А
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.15Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Рассеиваемая Мощность:
150Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85423300
Масса (кг):
.001845