Low

STMICROELECTRONICS  STB11NK40ZT4  МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 400 В, 490 мОм, 10 В, 3.75 В

STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4
Technical Data Sheet (500.03KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The STB11NK40ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
  • Extremely high dV/dt capability
  • 100% avalanche tested
  • Gate charge minimized
  • Very low intrinsic capacitances
  • Very good manufacturing repeatability
  • -55 to 150°C Operating junction temperature range

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
4.5А
Напряжение Истока-стока Vds:
400В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.49Ом
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
3.75В
Рассеиваемая Мощность:
110Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Управление Питанием;
  • Промышленное

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.001973