Low

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2216LT1G  Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, SOT-23

ON SEMICONDUCTOR MMUN2216LT1G
Technical Data Sheet (97.08KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The MMUN2216LT1G is a NPN Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
  • Simplifies circuit design
  • Reduces board space
  • Reduces component count

Информация об изделиях

Напряжение Коллектор-Эмиттер:
50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic:
100мА
Резистор На входе Базы R1:
4.7кОм
Резистор База-эмиттер R2:
-
Соотношение Сопротивления, R1 / R2:
-
Корпус РЧ Транзистора:
SOT-23
Количество Выводов:
3 Вывода
Линия Продукции:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
Malaysia

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.000033

Варианты

Биполярный транзистор, BRT, NPN, 50 В, 250 мВт, 100 мА, 200 hFE

NXP

Разрезная лента
600 Есть в наличии

Цена за: Штука (Поставляется на разрезной ленте)

10+ 0,026 € 150+ 0,023 € 300+ 0,022 € 750+ 0,021 € еще…

Купить

Сопутствующие продукты