Low

ON SEMICONDUCTOR  C106M1G  Тиристор, 600 В, 0.2 мА, 2.55 А, 4 А, TO-225AA, 3 вывод(-ов)

ON SEMICONDUCTOR C106M1G
Technical Data Sheet (103.07KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The C106M1G is a 4A RMS PNPN sensitive gate Silicon Controlled Rectifier (SCR) designed for high volume consumer applications where reliability of operation is important.
  • Reverse blocking thyristor
  • Glassivated surface for reliability and uniformity
  • Power rated
  • Practical level triggering and holding characteristics
  • Flat, rugged, thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation & durability

Информация об изделиях

Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:
600В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:
200мкА
Средний Ток It:
2.55А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
Стиль Корпуса Тиристора:
TO-225AA
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:
20А
Максимальный Ток Удержания Ih:
3мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
Максимальная Рабочая Температура:
110°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
-

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное;
  • Управление Питанием;
  • ОВКВ;
  • Освещение;
  • Автоматизация и Управление Процессами;
  • Считывание и Контрольно-измерительная Аппаратура;
  • Потребительская Электроника

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85413000
Масса (кг):
.00064

Сопутствующие продукты