Low

ON SEMICONDUCTOR  2N6508G  Тиристор, 600 В, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

ON SEMICONDUCTOR 2N6508G
Technical Data Sheet (80.53KB) EN См. всю техническую документацию

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The 2N6508G is a 3-pin Silicon Controlled Rectifier is designed primarily for half-wave AC control applications. Glass passivated junctions with centre gate fire for greater parameter uniformity and stability. Blocking voltage to 800V.
  • Small, rugged, thermowatt constructed for low thermal resistance, high heat dissipation & durability

Информация об изделиях

Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm:
600В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt:
40мА
Средний Ток It:
16А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms):
25А
Стиль Корпуса Тиристора:
TO-220AB
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц:
250А
Максимальный Ток Удержания Ih:
40мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt:
1.5В
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Линия Продукции:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
-

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Промышленное

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
Malaysia

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85413000
Масса (кг):
.002177

Сопутствующие продукты