Low

NXP  PSMN1R0-40YLD  МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В, 0.00093 Ом, 10 В, 1.7 В

NXP PSMN1R0-40YLD

Изображение дано только в качестве иллюстрации. Изучите описание продукта.

Обзор продукта

The PSMN1R0-40YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET designed using advanced TrenchMOS® Superjunction technology. It is designed and qualified for high performance power switching applications.
  • NextPower-S3 technology delivers superfast switching with soft recovery
  • Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs
  • Schottky-plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS leakage
  • Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower-S3 Superjunction technology
  • High reliability LFPAK package, copper-clip, solder die attach and qualified to 150°C
  • Exposed leads can be wave soldered, visual solder joint inspection and high quality solder joints
  • Low parasitic inductance and resistance
  • -55 to 150°C Junction temperature range

Информация об изделиях

Полярность Транзистора:
N Канал
Непрерывный Ток Стока:
100А
Напряжение Истока-стока Vds:
40В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
930мкОм
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Пороговое Напряжение Vgs:
1.7В
Рассеиваемая Мощность:
198Вт
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-669
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Линия Продукции:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный

Поиск аналогичных товаров , сгруппированных по общим свойствам

Области применения

  • Управление Питанием;
  • Привод Двигателя и Управление;
  • Промышленное

Законодательные акты и защита окружающей среды

Страна происхождения:
China

Страна, в которой выполнялся последний значительный производственный процесс

Соответствует RoHS:
Да
Номер тарифа:
85412900
Масса (кг):
.00001