Энергонезависимая SRAM - NVSRAM

: 23 товаров найдено
Расположение фильтров:

В настоящий момент невозможно указать договорные цены. Указанные цены являются стандартными розничными ценами, договорные цены будут применены при обработке размещенных заказов.

 
Сравнить выбранное Сравнить Добавить выбранное В корзину
Дополнительно Параметры
Добавить свойства в таблицу

Выберите свойства, которые хотите добавить в столбцы в конце таблицы.

  Номер по каталогу производителя Код заказа Производитель / описание
В наличии Цена за
Цена
Количество
Размер Памяти Организация Памяти Тип Интерфейса ИС Минимальное Напряжение Питания Максимальное Напряжение Питания Стиль Корпуса Микросхемы Памяти Количество Выводов Минимальная Рабочая Температура Максимальная Рабочая Температура Соответствует Фталатам RoHS
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
M48Z12-70PC1
M48Z12-70PC1 - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Кбит, 2К x 8бит, побайтовый интерфейс, 4.5В до 5.5В, DIP-24

2807112

STMICROELECTRONICS - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Кбит, 2К x 8бит, побайтовый интерфейс, 4.5В до 5.5В, DIP-24

Размер Памяти 16Кбит
Организация Памяти 2К x 8бит
Тип Интерфейса ИС Bytewide

+ См. все сведения о продукте

STMICROELECTRONICS 

Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Кбит, 2К x 8бит, побайтовый интерфейс, 4.5В до 5.5В, DIP-24

+ Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

201 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

На неделе, начинающейся 03.09.18, доступно больше запасов

Размер Памяти 16Кбит
Организация Памяти 2К x 8бит
Тип Интерфейса ИС Bytewide
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти DIP
Количество Выводов 24вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура 0°C
Максимальная Рабочая Температура 70°C
Соответствует Фталатам RoHS Да

201

1+ 7,94 € Цена за 10+ 6,69 € Цена за 25+ 6,62 € Цена за 50+ 6,55 € Цена за 100+ 6,48 € Цена за 250+ 6,41 € Цена за Посмотреть стоимость...

Кол-во

201 Есть в наличии

+ Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

201 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

На неделе, начинающейся 03.09.18, доступно больше запасов

Штука

1+ 7,94 € 10+ 6,69 € 25+ 6,62 € 50+ 6,55 € 100+ 6,48 € 250+ 6,41 € Посмотреть стоимость...

В корзину
Min: 1 Mult: 1
16Кбит 2К x 8бит Bytewide 4.5В 5.5В DIP 24вывод(-ов) 0°C 70°C Да
DS1270Y-70IND#
DS1270Y-70IND# - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Мбит, 2М х 8бит, параллельный интерфейс, 4.5В до 5.5В, EDIP-36

2798719

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Мбит, 2М х 8бит, параллельный интерфейс, 4.5В до 5.5В, EDIP-36

Размер Памяти 16Мбит
Организация Памяти 2М x 8 бит
Тип Интерфейса ИС Параллельный

+ См. все сведения о продукте

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS 

Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 16Мбит, 2М х 8бит, параллельный интерфейс, 4.5В до 5.5В, EDIP-36

+ Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

15 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

Размер Памяти 16Мбит
Организация Памяти 2М x 8 бит
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти EDIP
Количество Выводов 36вывод(-ов)
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Соответствует Фталатам RoHS Будет Указано Позже

15

1+ 232,00 € Цена за 5+ 227,00 € Цена за 10+ 192,00 € Цена за

Кол-во

15 Есть в наличии

+ Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

15 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

Штука

1+ 232,00 € 5+ 227,00 € 10+ 192,00 €

В корзину
Min: 1 Mult: 1
16Мбит 2М x 8 бит Параллельный 4.5В 5.5В EDIP 36вывод(-ов) -40°C 85°C Будет Указано Позже
CY14B104LA-ZS25XI
CY14B104LA-ZS25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

2772930

CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Размер Памяти 4Мбит
Организация Памяти 512K x 8 бит
Тип Интерфейса ИС Параллельный

+ См. все сведения о продукте

CYPRESS SEMICONDUCTOR 

Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

+ Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

156 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

  • 135 с возможностью поставки 17.08.2018
  • На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 512K x 8 бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 44вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    156

    1+ 29,05 € Цена за 5+ 28,10 € Цена за 10+ 27,24 € Цена за 25+ 26,38 € Цена за 50+ 21,86 € Цена за

    Кол-во

    156 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    156 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

  • 135 с возможностью поставки 17.08.2018
  • На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 29,05 € 5+ 28,10 € 10+ 27,24 € 25+ 26,38 € 50+ 21,86 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    4Мбит 512K x 8 бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 44вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    DS1225AB-70IND+
    DS1225AB-70IND+ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    2798716

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    57 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 4.75В
    Максимальное Напряжение Питания 5.25В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти EDIP
    Количество Выводов 28вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Будет Указано Позже

    57

    1+ 17,64 € Цена за 10+ 16,76 € Цена за 25+ 15,47 € Цена за 50+ 14,70 € Цена за 100+ 12,32 € Цена за

    Кол-во

    57 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    57 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 17,64 € 10+ 16,76 € 25+ 15,47 € 50+ 14,70 € 100+ 12,32 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    64Кбит 8К x 8бит Параллельный 4.75В 5.25В EDIP 28вывод(-ов) -40°C 85°C Будет Указано Позже
    DS1225AD-150IND+
    DS1225AD-150IND+ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    2798717

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    13 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 4.75В
    Максимальное Напряжение Питания 5.25В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти EDIP
    Количество Выводов 28вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Будет Указано Позже

    13

    1+ 17,93 € Цена за 10+ 17,03 € Цена за 25+ 15,73 € Цена за 50+ 14,94 € Цена за 100+ 12,35 € Цена за

    Кол-во

    13 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    13 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 17,93 € 10+ 17,03 € 25+ 15,73 € 50+ 14,94 € 100+ 12,35 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    64Кбит 8К x 8бит Параллельный 4.75В 5.25В EDIP 28вывод(-ов) -40°C 85°C Будет Указано Позже
    CY14B108N-ZSP25XI
    CY14B108N-ZSP25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    2772935

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 8Мбит
    Организация Памяти 512К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    101 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 12.11.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 8Мбит
    Организация Памяти 512К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 54вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    101

    1+ 49,46 € Цена за 5+ 46,94 € Цена за 10+ 45,86 € Цена за 25+ 38,90 € Цена за

    Кол-во

    101 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    101 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 12.11.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 49,46 € 5+ 46,94 € 10+ 45,86 € 25+ 38,90 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    8Мбит 512К x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 54вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    DS1225AD-70+
    DS1225AD-70+ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    2798718

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    MAXIM INTEGRATED PRODUCTS 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 64Кбит, 8K x 8бит, параллельный интерфейс, 4.75В до 5.25В, EDIP-28

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    19 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 64Кбит
    Организация Памяти 8К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 4.75В
    Максимальное Напряжение Питания 5.25В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти EDIP
    Количество Выводов 28вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура 0°C
    Максимальная Рабочая Температура 70°C
    Соответствует Фталатам RoHS Будет Указано Позже

    19

    1+ 17,22 € Цена за 10+ 16,34 € Цена за 25+ 14,88 € Цена за 50+ 13,78 € Цена за 100+ 11,69 € Цена за

    Кол-во

    19 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    19 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 22.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 17,22 € 10+ 16,34 € 25+ 14,88 € 50+ 13,78 € 100+ 11,69 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    64Кбит 8К x 8бит Параллельный 4.75В 5.25В EDIP 28вывод(-ов) 0°C 70°C Будет Указано Позже
    CY14V101QS-SE108XI
    CY14V101QS-SE108XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    2749797

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    88 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 16вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    88

    1+ 12,34 € Цена за 10+ 11,02 € Цена за 25+ 10,70 € Цена за 50+ 10,58 € Цена за 100+ 8,96 € Цена за

    Кол-во

    88 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    88 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,34 € 10+ 11,02 € 25+ 10,70 € 50+ 10,58 € 100+ 8,96 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В SOIC 16вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B256KA-SP45XI
    CY14B256KA-SP45XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    2772936

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    Размер Памяти 256Кбит
    Организация Памяти 32К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    54 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 01.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 256Кбит
    Организация Памяти 32К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SSOP
    Количество Выводов 48вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    54

    1+ 16,23 € Цена за 10+ 14,71 € Цена за 25+ 14,51 € Цена за 50+ 14,33 € Цена за 100+ 12,01 € Цена за

    Кол-во

    54 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    54 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 01.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 16,23 € 10+ 14,71 € 25+ 14,51 € 50+ 14,33 € 100+ 12,01 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    256Кбит 32К x 8бит Параллельный 2.7В 3.6В SSOP 48вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B108N-BA25XI
    CY14B108N-BA25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    2772934

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    Размер Памяти 8Мбит
    Организация Памяти 512К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    273 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 8Мбит
    Организация Памяти 512К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти FBGA
    Количество Выводов 48вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    273

    1+ 62,75 € Цена за 5+ 56,99 € Цена за 10+ 54,45 € Цена за 25+ 50,57 € Цена за

    Кол-во

    273 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    273 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 62,75 € 5+ 56,99 € 10+ 54,45 € 25+ 50,57 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    8Мбит 512К x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В FBGA 48вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14V101QS-SE108XQ
    CY14V101QS-SE108XQ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    2749798

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    90 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 16вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 105°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    90

    1+ 12,34 € Цена за 10+ 11,02 € Цена за 25+ 10,70 € Цена за 50+ 10,58 € Цена за 100+ 8,96 € Цена за

    Кол-во

    90 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    90 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,34 € 10+ 11,02 € 25+ 10,70 € 50+ 10,58 € 100+ 8,96 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В SOIC 16вывод(-ов) -40°C 105°C Да
    CY14B101KA-SP25XI
    CY14B101KA-SP25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    2772927

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SSOP-48

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    60 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 01.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SSOP
    Количество Выводов 48вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    60

    1+ 21,14 € Цена за 5+ 20,38 € Цена за 10+ 19,69 € Цена за 25+ 19,47 € Цена за 50+ 16,14 € Цена за

    Кол-во

    60 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    60 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 01.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 21,14 € 5+ 20,38 € 10+ 19,69 € 25+ 19,47 € 50+ 16,14 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит Параллельный 2.7В 3.6В SSOP 48вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14V101PS-SF108XI
    CY14V101PS-SF108XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, SPI интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    2749796

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, SPI интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Последовательный SPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, SPI интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    60 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Последовательный SPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 16вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    60

    1+ 12,47 € Цена за 10+ 11,12 € Цена за 25+ 10,80 € Цена за 50+ 10,68 € Цена за 100+ 9,04 € Цена за

    Кол-во

    60 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    60 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,47 € 10+ 11,12 € 25+ 10,80 € 50+ 10,68 € 100+ 9,04 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит Последовательный SPI 2.7В 3.6В SOIC 16вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14V101QS-SF108XI
    CY14V101QS-SF108XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    2749792

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    28 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 16вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    28

    1+ 12,47 € Цена за 10+ 11,12 € Цена за 25+ 10,80 € Цена за 50+ 10,68 € Цена за 100+ 9,04 € Цена за

    Кол-во

    28 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    28 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,47 € 10+ 11,12 € 25+ 10,80 € 50+ 10,68 € 100+ 9,04 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В SOIC 16вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B101NA-ZS45XI
    CY14B101NA-ZS45XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    2772929

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 64К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    79 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 64К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 44вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    79

    1+ 22,18 € Цена за 5+ 21,38 € Цена за 10+ 20,64 € Цена за 25+ 20,42 € Цена за 50+ 16,83 € Цена за

    Кол-во

    79 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    79 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 22,18 € 5+ 21,38 € 10+ 20,64 € 25+ 20,42 € 50+ 16,83 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 64К x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 44вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B256LA-SZ25XIT
    CY14B256LA-SZ25XIT - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-32

    2772937

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-32

    Размер Памяти 256Кбит
    Организация Памяти 32К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 256Кбит, 32K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, SOIC-32

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    1 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 256Кбит
    Организация Памяти 32К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 32вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    1

    1+ 15,40 € Цена за 10+ 14,47 € Цена за 25+ 14,31 € Цена за 50+ 13,95 € Цена за 100+ 11,79 € Цена за

    Кол-во

    1 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    1 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 15,40 € 10+ 14,47 € 25+ 14,31 € 50+ 13,95 € 100+ 11,79 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    256Кбит 32К x 8бит Параллельный 2.7В 3.6В SOIC 32вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B104NA-BA45XI
    CY14B104NA-BA45XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    2772932

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 256K x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В, FBGA-48

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    277 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 256K x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти FBGA
    Количество Выводов 48вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    277

    1+ 28,29 € Цена за 5+ 27,36 € Цена за 10+ 26,52 € Цена за 25+ 25,68 € Цена за 50+ 21,44 € Цена за

    Кол-во

    277 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    277 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 28,29 € 5+ 27,36 € 10+ 26,52 € 25+ 25,68 € 50+ 21,44 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    4Мбит 256K x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В FBGA 48вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B104LA-ZS45XI
    CY14B104LA-ZS45XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    2772931

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 512K x 8 бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 512K x 8бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    124 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 512K x 8 бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 44вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    124

    1+ 22,91 € Цена за 5+ 22,17 € Цена за 10+ 21,49 € Цена за 25+ 20,80 € Цена за 50+ 17,76 € Цена за

    Кол-во

    124 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    124 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 22,91 € 5+ 22,17 € 10+ 21,49 € 25+ 20,80 € 50+ 17,76 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    4Мбит 512K x 8 бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 44вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14V101QS-BK108XQ
    CY14V101QS-BK108XQ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    2749795

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    480 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти FBGA
    Количество Выводов 24вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 105°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    480

    1+ 12,89 € Цена за 10+ 11,52 € Цена за 25+ 11,20 € Цена за 50+ 11,07 € Цена за 100+ 9,38 € Цена за

    Кол-во

    480 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    480 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,89 € 10+ 11,52 € 25+ 11,20 € 50+ 11,07 € 100+ 9,38 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В FBGA 24вывод(-ов) -40°C 105°C Да
    CY14V101QS-BK108XI
    CY14V101QS-BK108XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    2749794

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, FBGA-24

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    480 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти FBGA
    Количество Выводов 24вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    480

    1+ 12,89 € Цена за 10+ 11,52 € Цена за 25+ 11,20 € Цена за 50+ 11,07 € Цена за 100+ 9,38 € Цена за

    Кол-во

    480 Есть в наличии

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа

    480 доставка в течение 3-5 дней со склада UK: 00 GMT (для поставляемых на катушках компонентов до 15:00 GMT) Пн. – Пт. (за исключением официальных праздничных дней)

    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов

    Штука

    1+ 12,89 € 10+ 11,52 € 25+ 11,20 € 50+ 11,07 € 100+ 9,38 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В FBGA 24вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B101NA-ZS25XI
    CY14B101NA-ZS25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    2772928

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 64К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 64K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 64К x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 44вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    Нет

    1+ 17,16 € Цена за 10+ 16,42 € Цена за 25+ 16,25 € Цена за 50+ 15,85 € Цена за 100+ 13,39 € Цена за

    Кол-во

    Ожидает доставки (Стандартный срок производства указан по ссылке ниже)

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа
    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов Сообщите мне, когда товар снова будет в наличии

    Штука

    1+ 17,16 € 10+ 16,42 € 25+ 16,25 € 50+ 15,85 € 100+ 13,39 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 64К x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 44вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14B104NA-ZS25XI
    CY14B104NA-ZS25XI - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    2772933

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 256K x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа
  • 19 с возможностью поставки 01.09.2018
  • На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов Сообщите мне, когда товар снова будет в наличии
    Размер Памяти 4Мбит
    Организация Памяти 256K x 16бит
    Тип Интерфейса ИС Параллельный
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
    Количество Выводов 44вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 85°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    Нет

    1+ 29,05 € Цена за 5+ 28,10 € Цена за 10+ 27,24 € Цена за 25+ 26,38 € Цена за 50+ 22,01 € Цена за

    Кол-во

    Ожидает доставки (Стандартный срок производства указан по ссылке ниже)

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа
  • 19 с возможностью поставки 01.09.2018
  • На неделе, начинающейся 08.10.18, доступно больше запасов Сообщите мне, когда товар снова будет в наличии

    Штука

    1+ 29,05 € 5+ 28,10 € 10+ 27,24 € 25+ 26,38 € 50+ 22,01 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    4Мбит 256K x 16бит Параллельный 2.7В 3.6В TSOP-II 44вывод(-ов) -40°C 85°C Да
    CY14V101QS-SF108XQ
    CY14V101QS-SF108XQ - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    2749793

    CYPRESS SEMICONDUCTOR - Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI

    + См. все сведения о продукте

    CYPRESS SEMICONDUCTOR 

    Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 1Мбит, 128К x 8бит, интерфейс QSPI, 2.7В до 3.6В, SOIC-16

    Размер Памяти 1Мбит
    Организация Памяти 128К x 8бит
    Тип Интерфейса ИС QSPI
    Минимальное Напряжение Питания 2.7В
    Максимальное Напряжение Питания 3.6В
    Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
    Количество Выводов 16вывод(-ов)
    Минимальная Рабочая Температура -40°C
    Максимальная Рабочая Температура 105°C
    Соответствует Фталатам RoHS Да

    Нет

    1+ 12,47 € Цена за 10+ 11,12 € Цена за 25+ 10,80 € Цена за 50+ 10,68 € Цена за 100+ 9,04 € Цена за

    Кол-во

    Ожидает доставки (Стандартный срок производства указан по ссылке ниже)

    + Проверить наличие на складе и сроки выполнения заказа
    На неделе, начинающейся 24.09.18, доступно больше запасов Сообщите мне, когда товар снова будет в наличии

    Штука

    1+ 12,47 € 10+ 11,12 € 25+ 10,80 € 50+ 10,68 € 100+ 9,04 €

    В корзину
    Min: 1 Mult: 1
    1Мбит 128К x 8бит QSPI 2.7В 3.6В SOIC 16вывод(-ов) -40°C 105°C Да